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J-GLOBAL ID:200902064269446161   整理番号:91A0120619

分子ビームエピタキシャル成長中の窒素原子ビームドーピングによるp型ZnSe

P-TYPE ZnSe by nitrogen atom beam doping during molecular beam epitaxial growth.
著者 (5件):
資料名:
巻: 57  号: 20  ページ: 2127-2129  発行年: 1990年11月12日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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標題のp型ZnSeエピタキシャル層を作製するための新しい方法...
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分類 (3件):
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半導体-半導体接触【’81~’92】  ,  半導体薄膜  ,  発光素子 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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