分子ビームエピタキシャル成長中の窒素原子ビームドーピングによるp型ZnSe

PARK R M; TROFFER M B; ROULEAU C M; DEPUYDT J M; HAASE M A

文献

J-GLOBAL ID：200902064269446161 整理番号：91A0120619

分子ビームエピタキシャル成長中の窒素原子ビームドーピングによるp型ZnSe

P-TYPE ZnSe by nitrogen atom beam doping during molecular beam epitaxial growth.

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巻： 57 号： 20 ページ： 2127-2129 発行年： 1990年11月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標題のp型ZnSeエピタキシャル層を作製するための新しい方法...

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半導体-半導体接触【’81~’92】 , 半導体薄膜 , 発光素子

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