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J-GLOBAL ID：200902064284900294   整理番号：87A0419988

被覆特性と関連させたイオンめっき薄膜の構造

The structure of ion plated films in relation to coating properties.
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著者 (1件)：
SPALVINS T

SPALVINS T について

(Lewis Research Center, National Aeronautics and Space Administration, OH, USA)

Lewis Research Center, National Aeronautics and Space Administration, OH, USA について


資料名：
Ion Plating and Implantation  (Ion Plating and Implantation)

Ion Plating and Implantation について


ページ： 39-48  発行年： 1986年 
JST資料番号： K19870278  ISBN： 0-87170-269-X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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初期の核形成段階から,最終の薄膜成長段階へのグロー放電エネル...
シソーラス用語：
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イオンめっき

イオンめっき について

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分類 (1件)：
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気相めっき 
(WC08022K)

気相めっき について

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薄膜

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