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J-GLOBAL ID：200902064609329637   整理番号：91A0688037

電流センシング・データバス増幅器を有する40ns 64Mb DRAM

A 40ns 64Mb DRAM with Current-Sensing Data-Bus Amplifier.

著者 (9件)： TAGUCHI M (Fujitsu Ltd., Kawasaki, JPN) ,  TOMITA H (Fujitsu Ltd., Kawasaki, JPN) ,  UCHIDA T (Fujitsu Ltd., Kawasaki, JPN) ,  OONISHI Y (Fujitsu Ltd., Kawasaki, JPN) ,  SATO K (Fujitsu Ltd., Kawasaki, JPN) ,  EMA T (Fujitsu Ltd., Kawasaki, JPN) ,  HIGASHITANI M (Fujitsu Ltd., Kawasaki, JPN) ,  NAKAGAWA K (Fujitsu Ltd., Kawasaki, JPN) ,  YABU T (Fujitsu Ltd., Kawasaki, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 34  ページ： 112-113,299  発行年： 1991年02月 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の増幅器とバスライン・オン・セルチップ構成とを結合するこ...

シソーラス用語： DRAM ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (4件)： センシング ,  データバス ,  増幅器 ,  DRAM