レーザ蒸発で作った高品質の光学用エピタキシャル成長Ge膜

SANKUR H; GUNNING W J; DENATALE J; FLINTOFF J F

文献

J-GLOBAL ID：200902065273628432 整理番号：89A0342467

レーザ蒸発で作った高品質の光学用エピタキシャル成長Ge膜

High-quality optical and epitaxial Ge films formed by laser evaporation.

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巻： 65 号： 6 ページ： 2475-2478 発行年： 1989年03月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GeメルトにCO₂パルスレーザを照射す...

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半導体薄膜

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