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J-GLOBAL ID：200902065481303636   整理番号：89A0028126

シリコンにおける拡散と点欠陥

Diffusion et d<span style=text-decoration:overline>e ́</span>fauts ponctuels dans le silicium.
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著者 (1件)：
LEROY B

LEROY B について

(IBM France, Corbeil-Essonnes, FRA)

IBM France, Corbeil-Essonnes, FRA について


資料名：
Annales de Chimie. Science des Materiaux  (Annales de Chimie. Science des Materiaux)

Annales de Chimie. Science des Materiaux について


巻： 11  号： 8  ページ： 89-97  発行年： 1986年 
JST資料番号： A0402A  ISSN： 0151-9107  CODEN： ANCPAC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： フランス (FRA)  言語： フランス語 (FR)
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抄録/ポイント
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シリコンにおける空格子点と格子間原子密度の変化と,それらの変...
シソーラス用語：
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ケイ素

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分類 (2件)：
分類
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固体中の拡散一般 
(BL06021L)

固体中の拡散一般 について

,  半導体の格子欠陥 
(BK12040Q)

半導体の格子欠陥 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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シリコン

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, 
拡散

拡散 について

, 
点欠陥

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