極低基板温度での分子ビームエピタキシーにより形成されたIII-V半導体における超高速キャリア動力学

GUPTA S; WHITAKER J F; MOUROU G A

文献

J-GLOBAL ID：200902065728307982 整理番号：92A0805826

極低基板温度での分子ビームエピタキシーにより形成されたIII-V半導体における超高速キャリア動力学

Ultrafast Carrier Dynamics in III-V Semiconductors Grown by Molecular-Beam Epitaxy at Very Low Substrate Temperatures.

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巻： 28 号： 10 ページ： 2464-2472 発行年： 1992年10月
JST資料番号： H0432A ISSN： 0018-9197 CODEN： IEJQA7 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

非常に低い基板温度の範囲にわたって分子ビームエピタキシーによ...

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半導体結晶の電気伝導

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