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J-GLOBAL ID：200902065927200712   整理番号：89A0574674

p型ZnSeにおける大きい格子緩和を介する自己補償

Self-compensation through a large lattice relaxation in p-type ZnSe.

著者 (2件)： CHADI D J (Xerox Palo Alto Research Center, California) ,  CHANG K J (Xerox Palo Alto Research Center, California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 55  号： 6  ページ： 575-577  発行年： 1989年08月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： II-VI半導体中のアクセプタの自己補償効果の機構を明らかに...

シソーラス用語： セレン化亜鉛 ,...
準シソーラス用語： 格子緩和

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnSe ,  格子緩和 ,  自己 ,  補償