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J-GLOBAL ID：200902067311109323   整理番号：86A0349445

再結晶過程での絶縁体上シリコン系の温度分布

Temperature distribution of silicon-on-insulator systems during recrystallization processing.

著者 (2件)： MIAOULIS I N (Massachusetts Inst. Technology) ,  MIKI<span style=text-decoration:overline>C ́</span> B B (Massachusetts Inst. Technology)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 5  ページ： 1663-1666  発行年： 1986年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超小形デバイス用のシリコン薄膜の融解-再結晶過程での温度分布...

シソーラス用語： 半導体接合 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 再結晶 ,  過程 ,  絶縁体 ,  シリコン ,  温度分布