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J-GLOBAL ID：200902067413103060   整理番号：90A0584921

シリコン中の注入不純物分布をシミュレーションする二重Pearson法のモデリングパラメータの効率のよい抽出法

Efficient modeling parameter extraction for dual pearson approach to simulation of implanted impurity profiles in silicon.

著者 (3件)： PARK C (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  KLEIN K M (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  TASCH A F (Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 33  号： 6  ページ： 645-650  発行年： 1990年06月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の二重Pearsonモデリング法中の9個のパラメータを正...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  注入 ,  不純物分布 ,  シミュレーション ,  モデリング ,  パラメータ ,  抽出法