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J-GLOBAL ID：200902067502137785   整理番号：86A0245124

乾燥酸素中のシリコン酸化の際の点欠陥生成 I 理論

Point-defect generation during oxidation of silicon in dry oxygen. I Theory.

著者 (2件)： DUNHAM S T (Stanford Univ., California) ,  PLUMMER J D (Stanford Univ., California)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 7  ページ： 2541-2550  発行年： 1986年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物中の連続方程式に基づく関係を用い,提出の境界条件を酸化...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸素 ,  シリコン ,  酸化 ,  点欠陥 ,  理論