文献

J-GLOBAL ID：200902068017969280   整理番号：87A0001787

HB法による50mmφ低転位密度半絶縁性GaAsの開発

Development of 50 mmφ low dislocation density semi-insulating GaAs substrate by the HB method.

著者 (8件)： 藤田慶一郎 (住友電気工業) ,  下田隆司 (住友電気工業) ,  吉竹伸二 (住友電気工業) ,  井上哲也 (住友電気工業) ,  松友俊雄 (住友電気工業) ,  西根士郎 (住友電気工業) ,  佐藤吉広 (住友電気工業) ,  柴田雅裕 (住友電気工業 基盤技研)
資料名： SEIテクニカルレビュー  (住友電気)
号： 129  ページ： 84-91  発行年： 1986年09月 
JST資料番号： F0314A  ISSN： 1343-4330  CODEN： SUDEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 低温度勾配でかつAs圧制御のできる3T-HB法により,直径2...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=87A0001787&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0314A") }}

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： HB ,  転位密度 ,  半絶縁性 ,  GaAs ,  開発