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J-GLOBAL ID：200902068645008460   整理番号：90A0114422

MOMBEによるメタリックp型GaAsの成長と評価

Characterization of metallic p-type GaAs grown by metalorganic molecular beam epitaxy.

著者 (7件)： 小長井誠 (東京工大 工) ,  山田巧 (東京工大 工) ,  赤塚健 (東京工大 工) ,  深町太一 (東京工大 工) ,  斉藤幸喜 (東京工大 工) ,  徳光永輔 (東京工大 工) ,  高橋清 (東京工大 工)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 59  号： 1  ページ： 47-53  発行年： 1990年01月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： MBE法に有機金属を導入したMOMBE法を用い,GaAs中へ...

シソーラス用語： MBE成長 ,...
準シソーラス用語： トリメチルガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

引用文献 (20件)：

• 1) W. V. McLevige, K. V. Vaidyanathan, B. G. Streetman, M. Ilegems, J. Comas and L. Plew: Appl. Phys. Lett. 33 (1978) 127.
• 2) 小長井誠:日本学術振興会極限構造電子物性第151委員会第3回研究会資料 (1986) p. 8.
• 3) M. Konagai, K. Katsukawa and K. Takahashi: J. Appl. Phys. 48 (1977) 4389.
• 4) E. Tokumitsu, Y. Kudou, M. Konagai and K. Takahashi: J. Appl. Phys. 55 (1984) 3163.
• 5) K. Saito, E. Tokumitsu, T. Akatsuka, M. Miyauchi, T. Yamada, M. Konagai and K. Takahashi: J. Appl. Phys. 64 (1988) 3975.

タイトルに関連する用語 (4件)： MOMBE ,  GaAs ,  成長 ,  評価