700°Cのプラズマ増速化学蒸着によるSi1-xCx膜の結晶構造

TAKESHITA T; ICHIGE K; KURATA Y; HASEGAWA S

文献

J-GLOBAL ID：200902068783675973 整理番号：91A0609372

700°Cのプラズマ増速化学蒸着によるSi_1-xC_x膜の結晶構造

Crystal structure of Si_1-xC_X FILMS BY PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AT 700°C.

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巻： 69 号： 11 ページ： 7945-7947 発行年： 1991年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

プラズマCVDで700°Cで形成したSi1-x</s...

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半導体薄膜

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