特集 次世代のキャパシタ絶縁膜形成技術 超高集積DRAM用CVD-Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>容量絶縁膜形成技術

神力博; 中田昌之

文献

J-GLOBAL ID：200902069268383273 整理番号：90A0440548

特集次世代のキャパシタ絶縁膜形成技術超高集積DRAM用CVD-Ta₂O₅容量絶縁膜形成技術

Special edition : forming technology of capacitor insulating film for the next generation.Forming technology of CVD-Ta₂O₅ capacity insulating film for ultra-high-integrated DRAM.

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巻： 9 号： 7 ページ： 113-117 発行年： 1990年05月
JST資料番号： Y0509A ISSN： 0286-5025 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

64MDRAMに適用できるキャパシタ用絶縁膜として,減圧CV...

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集積回路一般

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特集 次世代のキャパシタ絶縁膜形成技術 超高集積DRAM用CVD-Ta2O5容量絶縁膜形成技術

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