文献

J-GLOBAL ID：200902069282686386   整理番号：82A0431645

分散形ELの劣化とS空孔との関係

著者 (3件)： 平林克彦 (電電公社茨城電通研) ,  小沢口治樹 (電電公社茨城電通研) ,  辻山文治郎 (電電公社茨城電通研)
資料名： 電子通信学会技術研究報告
巻： 82  号： 68  ページ： 29-36(CPM82-12)  発行年： 1982年06月25日 
JST資料番号： S0532B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 分散形ELの劣化原因の解明を目的として,ELけい光体のCu,...

シソーラス用語： エレクトロルミネセンス ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=82A0431645&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (2件)： EL ,  空孔