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J-GLOBAL ID：200902070333477947   整理番号：92A0684348

THz-時間ドメイン分光法によるNおよびP型GaAsの4THzまでの電気的特性評価

Electrical characterization to 4 THz of N- and P-type GaAs using THz time-domain spectroscopy.

著者 (2件)： KATZENELLENBOGEN N (IBM Watson Research Center, New York) ,  GRISCHKOWSKY D (IBM Watson Research Center, New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 61  号： 7  ページ： 840-842  発行年： 1992年08月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能のオプトエレクトロニックビーム装置を用いて,NおよびP...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： Drudeの式

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分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドメイン ,  分光法 ,  GaAs ,  電気的特性 ,  評価