反応性マグネトロンスパッタリング法による単結晶TiN膜の成長とその性質

JOHANSSON B O; SUNDGREN J-E; GREENE J E; ROCKETT A; BARNETT S A

文献

J-GLOBAL ID：200902071211449337 整理番号：85A0371873

反応性マグネトロンスパッタリング法による単結晶TiN膜の成長とその性質

Growth and properties of single crystal TiN films deposited by reactive magnetron sputtering.

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資料名：
巻： 3 号： 2 ページ： 303-307 発行年： 1985年03月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

純Tiをターゲットにdc反応性マグネトロンスパッタリング法に...

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その他の無機化合物の薄膜

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