H+イオンで照射したHg1-xCdxTe(x=0.3)結晶の電気物理的性質

ЛИЛЕНКО Ю В; ШАСТОВ К В; КУЗНЕЦОВ Н В

文献

J-GLOBAL ID：200902071561975260 整理番号：87A0093668

H⁺イオンで照射したHg_1-xCd_xTe(x=0.3)結晶の電気物理的性質

Электрофизические свойства кристаллов Hg_1-xCd_xTe(x=0.3), облученных ионами H⁺.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=87A0093668&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=87A0093668&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=R0267A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 20 号： 10 ページ： 1907-1910 発行年： 1986年10月
JST資料番号： R0267A ISSN： 0015-3222 CODEN： ETPPA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：ロシア (RUS) 言語：ロシア語 (RU)

標記の結晶を200および500keVのH+</su...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=87A0093668&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=R0267A") }}

半導体の放射線による構造と物性の変化

, ,

前のページに戻る