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J-GLOBAL ID:200902071937857051   整理番号:85A0344879

連続2段のCVD法によるβ-SiC単結晶のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of β-SiC single crystals by successive two-step CVD.
著者 (6件):
資料名:
巻: 70  号: 1/2  ページ: 287-290  発行年: 1984年12月 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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単結晶β-SiC膜をSi(111)基板上に,化学気相蒸着(C...
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