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J-GLOBAL ID：200902071937857051   整理番号：85A0344879

連続2段のCVD法によるβ-SiC単結晶のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of β-SiC single crystals by successive two-step CVD.

著者 (6件)： SUZUKI A (Sharp Corp., Tenri) ,  FURUKAWA K (Sharp Corp., Tenri) ,  HIGASHIGAKI Y (Sharp Corp., Tenri) ,  HARADA S (Sharp Corp., Tenri) ,  NAKAJIMA S (Sharp Corp., Tenri) ,  INOGUCHI T (Sharp Corp., Tenri)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 70  号： 1/2  ページ： 287-290  発行年： 1984年12月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶β-SiC膜をSi(111)基板上に,化学気相蒸着(C...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： CVD法 ,  SiC ,  単結晶 ,  エピタキシャル成長