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J-GLOBAL ID：200902072141513780   整理番号：91A0943055

Rapid thermal process-induced defects: Gettering of internal contaminants.

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著者 (4件)：
HARTITI B

HARTITI B について

(IN2P3, Strasbourg, FRA)

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EICHHAMMER W

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(IN2P3, Strasbourg, FRA)

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MULLER J-C

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(IN2P3, Strasbourg, FRA)

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SIFFERT P

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(IN2P3, Strasbourg, FRA)

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資料名：
Impurities, Defects and Diffusion in Semiconductors: Bulk and Layered Structures  (Impurities, Defects and Diffusion in Semiconductors: Bulk and Layered Structures)

Impurities, Defects and Diffusion in Semiconductors: Bulk and Layered Structures について


ページ： 915-918  発行年： 1990年 
JST資料番号： K19910585  ISBN： 1-55899-051-8  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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RaPID

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