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J-GLOBAL ID：200902072495121880   整理番号：89A0131215

Si(100)面と原子状水素の反応によるSi水素化物のエッチ生成物

Silicon hydride etch products from the reaction of atomic hydrogen with Si(100).

著者 (3件)： GATES S M (IBM T.J. Watson Research Center, NY, USA) ,  KUNZ R R (IBM T.J. Watson Research Center, NY, USA) ,  GREENLIEF C M (IBM T.J. Watson Research Center, NY, USA)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 207  号： 2/3  ページ： 364-384  発行年： 1989年01月 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： H原子の吸着したSi(100)面からのSiH<sub>4<...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： TPD【脱着】 ,...

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分類 (1件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  原子状水素 ,  水素化物 ,  エッチ ,  生成物