文献

J-GLOBAL ID：200902073010729431   整理番号：85A0034396

高エネルギー電子線によるSi基板へのGe,Sb及びW不純物原子のドーピング

Doping of germanium, antimony and tungsten atoms into silicon substrate by high energy electron.

著者 (4件)： 武田道彦 (名古屋工技試) ,  和田隆夫 (三重大工) ,  増田晴穂 (名古屋工技試) ,  安田きょう一郎 (名古屋工技試)
資料名： 名古屋工業技術試験所報告  (Reports of the Government Industrial Research Institute, Nagoya)
巻： 33  号： 4  ページ： 117-124  発行年： 1984年04月 
JST資料番号： F0514A  ISSN： 0027-7614  CODEN： NAGHA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si基板と接触させたGeあるいはSb,Wの不純物シートの表面...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： SIMS ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=85A0034396&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0514A") }}

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高エネルギー電子 ,  Si基板 ,  Ge ,  Sb ,  不純物原子 ,  ドーピング