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J-GLOBAL ID：200902075331324665   整理番号：92A0587636

走査型トンネル顕微鏡法によるSi(001)面上の超薄い酸化物の分解の反応過程の直接測定

Direct Measurement of Reaction Kinetics for the Decomposition of Ultrathin Oxide on Si(001) Using Scanning Tunneling Microscopy.

著者 (2件)： JOHNSON K E (Univ. Washington, Washington) ,  ENGEL T (Univ. Washington, Washington)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 69  号： 2  ページ： 339-342  発行年： 1992年07月13日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(001)面上の単分子層の酸化膜の熱分解過程を走査型トン...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 走査型トンネル顕微鏡法 ,  Si ,  酸化物 ,  分解 ,  反応過程 ,  直接測定