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J-GLOBAL ID：200902075485986610   整理番号：81A0079622

予め蒸着した非常に薄い金の層によるシリコンの室温酸化の増進

Enhancement of the room temperature oxidation of silicon by very thin predeposited gold layers.

著者 (4件)： CROS A (CNRS, France) ,  SALVAN F (CNRS, France) ,  COMMANDRE M (CNRS, France) ,  DERRIEN J (CNRS, France)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 103  号： 1  ページ： L109-L114  発行年： 1981年02月 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非常に薄い金の層で覆われたシリコン(111)表面の酸化を,超...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 蒸着 ,  金 ,  層 ,  シリコン ,  室温 ,  酸化