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J-GLOBAL ID：200902075758234500   整理番号：88A0179676

光制御AlGaAs/GaAs高電子移動度トランジスタとGaAsMESFETのマイクロ波特性

Microwave performance of an optically controlled AlGaAs/GaAs high electron mobility transistor and GaAs MESFET.
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著者 (1件)：
SIMONS R N

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(NASA Lewis Research Center, OH, USA)

NASA Lewis Research Center, OH, USA について


資料名：
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques について


巻： 35  号： 12  ページ： 1444-1455  発行年： 1987年12月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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AlGaAs/GaAsHEMTとGaAsMESFETについて...
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トランジスタ 
(NC03070N)

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高電子移動度トランジスタ

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マイクロ波特性

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