文献

J-GLOBAL ID：200902076076487497   整理番号：87A0202828

δ-ドーピング法を用いた自己整合形エンハンスメント-モード及びディプレッション-モードGaAs電界効果トランジスタ

Self-aligned enhancement-mode and depletion-mode GaAs field-effect transistors employing the δ-doping technique.

著者 (3件)： SCHUBERT E F (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  CUNNINGHAM J E (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  TSANG W T (AT&T Bell Lab., NJ, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 49  号： 25  ページ： 1729-1731  発行年： 1986年12月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタキシャル法の結晶成長中にδ-ドーピング法を用...

シソーラス用語： Schottky障壁 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=87A0202828&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドーピング ,  自己整合 ,  ディプレッション ,  GaAs ,  電界効果トランジスタ