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J-GLOBAL ID：200902076263087338   整理番号：87A0359733

変調ドープGaAs/AlAs多重量子井戸中の層状二次元電子ガスの層間結合プラズモン励起,一粒子励起および散乱時間のRaman測定

Raman measurements of coupled layer plasmons, single particle excitations and scattering times in the layered 2D electron gas of modulation doped GaAs/AlGaAs multiquantum wells.

著者 (4件)： FASOL G (Max-Planck-Inst., Stuttgart, DEU) ,  MESTRES N (Max-Planck-Inst., Stuttgart, DEU) ,  FISCHER A (Max-Planck-Inst., Stuttgart, DEU) ,  PLOOG K (Max-Planck-Inst., Stuttgart, DEU)
資料名： 18th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1986, Vol.1  (18th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1986, Vol.1)
ページ： 679-682  発行年： 1986年 
JST資料番号： K19870207  ISBN： 9971-50-197-X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層状二次元電子ガスの層に平行な方向の励起を光散乱によって測定...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (10件)： 変調ドープ ,  GaAs ,  AlAs ,  多重量子井戸 ,  層状 ,  二次元電子ガス ,  層間結合 ,  プラズモン励起 ,  励起 ,  散乱時間