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J-GLOBAL ID：200902076607667460   整理番号：86A0556922

電解質-金属-絶縁体-半導体(EMIS)構成の光電気化学セル I Pt/酸化けい素/n-Si系における金属厚さと被覆率の影響

Photoelectrochemical cells of the electrolyte-metal-insulator-semiconductor (EMIS) configuration. I. Metal thickness and coverage effects in the Pt/silicon oxide/n-Si system.

著者 (3件)： HOWE A T (Amoco Corp., Illinois) ,  HAWKINS R T II (Amoco Corp., Illinois) ,  FLEISCH T H (Amoco Corp., Illinois)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 133  号： 7  ページ： 1369-1375  発行年： 1986年07月 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt/SiO₂/n-Si型の光電極につ...

シソーラス用語： 光電池 ,...

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分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電解質 ,  絶縁体 ,  EMIS ,  光電気化学セル ,  Pt ,  酸化けい素 ,  Si ,  被覆率