文献

J-GLOBAL ID：200902077209511112   整理番号：93A0004739

層間絶縁膜の平たん化技術

Planarization technologies of interlayer dielectrics.

著者 (4件)： 小谷秀夫 (三菱電機 LSI研) ,  松浦正純 (三菱電機 LSI研) ,  林出吉生 (三菱電機 LSI研) ,  阿部東彦 (三菱電機 LSI研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 61  号： 11  ページ： 1116-1123  発行年： 1992年11月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体デバイスの高密度・高集積化に伴い,その表面段差を平たん...

シソーラス用語： 超LSI ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (28件)：

• FRIED, L. J. IBM J. Res. & Dev. 1988, 26, 362
• 末松利英. 第35回応用物理学関係連合講演会予稿集. 1988, 672
• CHIANG, C. Proc. IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conf., Santa Clara, 1987. 1987, 404
• ROMERO, J. D. J. Mater. Res. 1991, 6, 1996
• LIFSHITZ, N. IEEE Electron Device Lett. 1989, 10, 562

タイトルに関連する用語 (2件)： 層間絶縁膜 ,  平たん化