気相からの結晶成長に関係するシリコンおよび炭化けい素の表面と表面過程のコンピュータによる模型化

文献

J-GLOBAL ID：200902077479923650 整理番号：85A0352514

Computer modeling of Si and SiC surfaces and surface processes relevant to crystal growth from the vapor.

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資料名：
巻： 70 号： 1/2 ページ： 33-40 発行年： 1984年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

多くの物質について多体問題の効果が原子のクラスタや表面の記述...

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固体の表面構造一般 , 半導体の結晶成長

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