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J-GLOBAL ID：200902078496145683   整理番号：86A0340532

ほう素を注入したGaAs中のEL2とEL6に関係したUバンドの光学的振舞い

Optical behavior of the U band in relation to EL2 and EL6 levels in boron-implanted GaAs.

著者 (4件)： SAMITIER J (Univ. Barcelona, Spain) ,  MORANTE J R (Univ. Barcelona, Spain) ,  GIRAUDET L (Lab. Electronique et de Physique Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>e, France) ,  GOURRIER S (Lab. Electronique et de Physique Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>e, France)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 48  号： 17  ページ： 1138-1140  発行年： 1986年04月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsに線量10¹⁰イオン/cm<s...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： DLTS法

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (6件)： ほう素 ,  注入 ,  GaAs ,  バンド ,  光学 ,  振舞い