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J-GLOBAL ID：200902078672305919   整理番号：90A0891151

高電界領域を有するSiプレーナ素子の電気的振動特性

Electrical oscillation in Si planar devices with a high electric field region.

著者 (5件)： 佐藤夏樹 (東海大 工) ,  和田山豊 (東海大 工) ,  秋葉幸男 (東海大 工) ,  黒須楯生 (東海大 工) ,  飯田昌盛 (東海大 工)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 59  号： 11  ページ： 1529-1537  発行年： 1990年11月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ソジコン型プレーナ素子の電流振動の発生機構を調べた。nチャネ...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： ソジコン

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分類 (2件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (11件)：

• 1) J. B. Gunn: Solid State Commun. 1 (1963) 88.
• 2) J. B. Gunn: IBM J. Res. & Dev. 8 (1964) 141.
• 3) B. K. Ridley: Proc. Phys. Soc. 78 (1961) 293.
• 4) M. Kawauchi, K. Iizima, T. Kurosu, M. Iida and M. Kikuchi: Jpn. J. Appl. Phys. 18 (1979) 2175.
• 5) J. H. Mcfee, P. K. Tien and H. L. Hodges: J. Appl. Phys. 38 (1967) 1721.

タイトルに関連する用語 (4件)： 高電界 ,  Si ,  プレーナ ,  電気的振動