p-i-n構造のGaAs/GaAlAs多重量子井戸(MQW)による高速光変調

WOOD T H; BURRUS C A; MILLER D A B; CHEMLA D S; DAMEN T C; GOSSARD A C; WIEGMANN W

文献

J-GLOBAL ID：200902078694972064 整理番号：84A0342981

p-i-n構造のGaAs/GaAlAs多重量子井戸(MQW)による高速光変調

High-speed optical modulation with GaAs/GaAlAs quantum wells in a p-i-n diode structure.

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資料名：
巻： 44 号： 1 ページ： 16-19 発行年： 1984年01月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

厚さ4μmの標題構造に垂直に電圧を印加する新しい高速光変調器...

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光変調器

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