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J-GLOBAL ID：200902079189456538   整理番号：87A0166479

Ga(AsP)の自己変調構造の減衰と発光ダイオード劣化との相関

Decay of a self-modulated structure in Ga(AsP) and correlation between this structure and the degradation of light-emitting diodes.

著者 (2件)： VOLKOV S I (Inst. Electronic Engineering, Moscow, SUN) ,  NAGDAEV E N (Inst. Electronic Engineering, Moscow, SUN)
資料名： Soviet Technical Physics Letters  (Soviet Technical Physics Letters)
巻： 12  号： 1  ページ： 44-46  発行年： 1986年01月 
JST資料番号： H0665A  ISSN： 0360-120X  CODEN： STPLD2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 準二元固溶体Ga(AsP)エピタクシー膜はLEDの作製に広く...

シソーラス用語： ガリウム化合物 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ga ,  ASP ,  自己 ,  変調構造 ,  減衰 ,  発光ダイオード ,  相関