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J-GLOBAL ID：200902079212979691   整理番号：86A0509825

Al₂O₃/native oxide二重膜を用いたInP MIS容量の過渡応答解析

Capacitance transient analysis of metal/Al₂O₃/native oxide/InP double-layer MIS structures.

著者 (5件)： 増田宏 (北大工) ,  HE L (北大工) ,  沢田孝幸 (北大工) ,  大野英男 (北大工) ,  長谷川英機 (北大工)
資料名： 電子通信学会技術研究報告
巻： 86  号： 137  ページ： 87-94(ED86-61)  発行年： 1986年08月26日 
JST資料番号： S0532B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 熱処理前後の試料におけるCの過渡応答をICTS法で調べ,注入...

シソーラス用語： MIS構造 ,...
準シソーラス用語： native oxide ,...

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分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

タイトルに関連する用語 (5件)： Al2O3 ,  NATIVE ,  InP ,  MIS ,  応答解析