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J-GLOBAL ID：200902079967641038   整理番号：86A0323254

シリコン中の中性アクセプタにおける励起子光ルミネセンスのトンネル理論 Si:(B,In),Si:(Al,In),Si:(Ga,In),Si:(B,Al),Si:(B,Ga)およびSi:(Al,Ga)系の研究

A tunneling theory of exciton photoluminescence for neutral acceptors in silicon: A study of the systems Si:(B,In), Si:(Al,In), Si:(Ga,In), Si:(B,Al), Si:(B,Ga), and Si:(Al,Ga)

著者 (4件)： MOROI D S (Kent State Univ., Ohio) ,  OHMER M C (Air Force Wright Aeronautical Lab., Ohio) ,  SZMULOWICZ F (Univ. Dayton, Ohio) ,  BROWN D H (Univ. Dayton, Ohio)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 4  ページ： 1309-1315  発行年： 1986年02月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非飽和定常状態で,自由励起子および二つの中性アクセプタに束縛...

シソーラス用語： アクセプタ ,...

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分類 (2件)： 励起子  (BM02120E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (12件)： シリコン ,  中性 ,  アクセプタ ,  励起子 ,  光ルミネセンス ,  トンネル ,  理論 ,  Si ,  Al ,  Ga ,  系 ,  研究