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J-GLOBAL ID:200902080100188177   整理番号:86A0158609

イリジウム-半導体系での化合物形成の初期段階 電界イオン顕微鏡による界面原子構造の研究

Initial stages of iridium-semiconductor compound formation: A field-ion-microscope study of interface atomic structures.
著者 (3件):
資料名:
巻: 56  号:ページ: 65-68  発行年: 1986年01月06日 
JST資料番号: H0070A  ISSN: 0031-9007  CODEN: PRLTAO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Ir表面におけるIrSiおよびIrGe薄膜層の形成の初期段階...
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分類 (2件):
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半導体-金属接触【’81~’92】  ,  固体の表面構造一般 

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