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J-GLOBAL ID：200902081103546178   整理番号：82A0270655

フラックス法によるZrSiO₄単結晶の育成

著者 (2件)： 潮真澄 (群馬大工) ,  西谷吉成 (群馬大工)
資料名： 日本化学会誌  (化学と工業化学)
号： 5  ページ： 756-760  発行年： 1982年05月 
JST資料番号： F0226B  ISSN： 0369-4577  CODEN： NKAKB8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 天然産ジルコンを種子結晶とし,900°Cあるいは1000°C...

シソーラス用語： 液相成長 ,...

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分類 (1件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

引用文献 (11件)：

• 1)この報文を“工業用大型単結晶の合成に関する研究(第13報)”とする.
• 2)前報(第12報), 潮真澄, 日化. 1979, 1186,
• 3) A. Ballman, R. A. Laudise, J. Am. Ceram. Soc., 48, 130(1965); A. B. Chase, J. A. Osmer, J. Electrochem. So c., 113, 198(1966); 児島弘直,小泉武士,第13回人工鉱物討論会要旨集, p. 67 (1968); R. Dharmarajan, R. F. Belt, R. C. Puttbach, J. Cryst. Growth, 13/14, 535 (1972 )など.
• 4) A. Ballman, R. A. Laudise, J. Am. Ceram. Soc., 48, 130(1965).
• (1965). 5) R. Uhrin, R. F. Belt, R. C. Puttbach, J. Cryst. Growth, 21, 65(1974); C. F ronde!, R. L. Colletle, Am. M i neral., 42, 759(1957); R. Dharmarajan, R. F. Belt, R. C. Puttbach, J. Cryst. Growth, 13/14, 535(1972).

タイトルに関連する用語 (2件)： フラックス法 ,  単結晶の育成