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J-GLOBAL ID:200902081280109560   整理番号:92A0665621

ガス中蒸着によるAg/NaCl系のエピタキシャル成長

Epitaxial Growth of Ag Deposits on NaCl of KCl Substrates in Ar Gases of Low Concentrations.
著者 (2件):
資料名:
巻: 13  号:ページ: 415-420  発行年: 1992年09月 
JST資料番号: F0940B  ISSN: 0388-5321  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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0.1~2Paの範囲の8種のArガス圧においてそれぞれ数回の...
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その他の無機化合物の薄膜 
引用文献 (13件):
  • 1) H. Lassen: Phys. Z. 35, 172 (1934).
  • 2) L. Brück: Ann. Phys. 26, 233 (1936).
  • 3) I. Ogura, S. Hayashi and T. Hirokawa: J. Eng. Nihon Univ. B4, 89 (1963).
  • 4) S. Ino, D. Watanabe and S. Ogawa: J. Phys. Soc. Japan 19, 881 (1964).
  • 5) J. W. Matthews and E. Grünbaum: Phil. Mag. 11, 1233 (1965).
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