UHV下で調製したn-GaAs(110)-Au SchottkyダイオードのDLTS研究

PLATEN W; KOHL D; BRAUCHLE K-A; WOLTER K

文献

J-GLOBAL ID：200902081379385712 整理番号：87A0215185

UHV下で調製したn-GaAs(110)-Au SchottkyダイオードのDLTS研究

DLTS investigations of UHV prepared n-GaAs(110)-Au Schottky diodes.

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PLATEN W

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巻： 178 号： 1/3 ページ： 164-170 発行年： 1986年12月
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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