レーザクエンチングにより元素Si中に生じた欠陥性結晶と非晶質状態への転移

CULLIS A G; WEBBER H C; CHEW N G; POATE J M; BAERI P

文献

J-GLOBAL ID：200902081546969292 整理番号：82A0408813

レーザクエンチングにより元素Si中に生じた欠陥性結晶と非晶質状態への転移

Transitions to defective crystal and the amorphous state induced in elemental Si by laser quenching.

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資料名：
巻： 49 号： 3 ページ： 219-222 発行年： 1982年07月19日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

大面積の均一な非晶質層をSi結晶上に2.5ns,347nmの...

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レーザ照射・損傷 , 非晶質半導体の構造 , 半導体の格子欠陥

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