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J-GLOBAL ID：200902082342251348   整理番号：82A0151657

SiH₄/N₂混合物を使うプラズマ促進窒化けい素の蒸着機構

Mechanisms of plasma-enhanced silicon nitride deposition using SiH₄/N₂ mixture.

著者 (4件)： DUN H (IBM, Vermont) ,  PAN P (IBM, Vermont) ,  WHITE F R (IBM, Vermont) ,  DOUSE R W (IBM, Vermont)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 128  号： 7  ページ： 1555-1563  発行年： 1981年07月 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化けい素膜組成は反応ガス比のみならず,高周波パワーと全圧力...

シソーラス用語： 窒化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性 ,...

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分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  荷電体衝撃・放電による反応  (CB06020R)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiH4 ,  N2 ,  混合物 ,  プラズマ ,  促進 ,  窒化けい素 ,  蒸着