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J-GLOBAL ID：200902082503386079   整理番号：93A0028700

NF₃プラズマで清浄化したSi表面のX線光電子分光分析および電気的接触の性質

X-ray photoemission analysis and electrical contact properties of NF₃ plasma cleaned Si surfaces.

著者 (6件)： DELFINO M (Varian Assoc., California) ,  CHUNG B-C (Varian Assoc., California) ,  TSAI W (Varian Assoc., California) ,  SALIMIAN S (Varian Assoc., California) ,  FAVREAU D P (AT&T Bell Lab., Pennsylvania) ,  MERCHANT S M (AT&T Bell Lab., Pennsylvania)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 72  号： 8  ページ： 3718-3725  発行年： 1992年10月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 〈100〉Si上の自然酸化物をECR励起NF<sub>3<...

シソーラス用語： フッ化窒素 ,...

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分類 (2件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： NF3 ,  プラズマ ,  清浄化 ,  Si ,  X線光電子分光 ,  分析 ,  性質