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J-GLOBAL ID：200902083501379934   整理番号：86A0552660

(2×2)再構成GaAs(<span style=text-decoration:overline>1</span><span style=text-decoration:overline>1</span><span style=text-decoration:overline>1</span>)表面の原子構造 多重空格子点モデル

Atomic structure of the (2×2) reconstructed GaAs (<span style=text-decoration:overline>1</span><span style=text-decoration:overline>1</span><span style=text-decoration:overline>1</span>) surface: A multivacancy model.

著者 (1件)： CHADI D J (Xerox, California)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 57  号： 1  ページ： 102-105  発行年： 1986年07月07日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsのAsで安定化した,(2×2)再構成(<span s...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 模型 ,...

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分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 再構成 ,  GaAs ,  原子構造 ,  多重 ,  空格子点 ,  モデル