原子状水素によるシリコン中の浅いアクセプタ準位の中性化

PANKOVE J I; CARLSON D E; BERKEYHEISER J E; WANCE R O

文献

J-GLOBAL ID：200902083697757036 整理番号：84A0292579

原子状水素によるシリコン中の浅いアクセプタ準位の中性化

Neutralization of shallow acceptor levels in silicon by atomic hydrogen.

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巻： 51 号： 24 ページ： 2224-2225 発行年： 1983年12月12日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Bドープ単結晶Siを122°Cで水素プラズマ放電に露出し,H...

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不純物・欠陥の電子構造

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