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J-GLOBAL ID：200902083890657260   整理番号：87A0053556

イオン打込みによって生じた格子欠陥がバルク障壁ダイオードの電気的および光学的特性に及ぼす影響

Influence of lattice defects produced by ion implantation on electrical and optical properties of bulk-barrier-diodes.
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著者 (1件)：
GEORGOULAS N

GEORGOULAS N について

(Democritus Univ. Thrace, Xanthi, GRC)

Democritus Univ. Thrace, Xanthi, GRC について


資料名：
NATO ASI Series. E. Applied Sciences  (NATO ASI Series. E. Applied Sciences)

NATO ASI Series. E. Applied Sciences について


号： 112  ページ： 435-439  発行年： 1986年 
JST資料番号： C0593B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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分類 (1件)：
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光導電素子 
(NC03083X)

光導電素子 について

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格子欠陥

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バルク

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障壁

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ダイオード

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