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J-GLOBAL ID：200902084078295482   整理番号：86A0178481

素子層転写技術を用いた新しいLSI/SOIウエハ製作法

Novel LSI/SOI wafer fabrication using device layer transfer technique.

著者 (4件)： HAMAGUCHI T (NEC Corp., Kawasaki) ,  ENDO N (NEC Corp., Kawasaki) ,  KIMURA M (NEC Corp., Kawasaki) ,  NAKAMAE M (NEC Corp., Kawasaki)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1985  ページ： 688-691  発行年： 1985年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siウエハ上に製作されたデバイス層を絶縁基板上に転写する技術...

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,...
準シソーラス用語： SOI

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 素子層 ,  転写 ,  LSI ,  SOI ,  ウエハ ,  製作法