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J-GLOBAL ID：200902084421322261   整理番号：87A0190305

InGaAs/InP量子ワイヤと量子箱の低温光ルミネセンス

Low-temperature photoluminescence from InGaAs/InP quantum wires and boxes.

著者 (4件)： TEMKIN H (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  DOLAN G J (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  PANISH M B (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  CHU S N G (AT&T Bell Lab., NJ, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 50  号： 7  ページ： 413-415  発行年： 1987年02月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガス源分子ビームエピタクシーで成長したInGaAs/InP量...

シソーラス用語： ヒ化ガリウムインジウム ,...
準シソーラス用語： 担体

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaAs ,  InP ,  量子ワイヤ ,  量子箱 ,  低温 ,  光ルミネセンス