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J-GLOBAL ID：200902085076054514   整理番号：91A0570942

低圧金属有機化学気相堆積で成長した高電子移動度GaN/Al_xGa_1-xNヘテロ構造

High electron mobility GaN/Al_xGa_1-xN heterostructures grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition.

著者 (4件)： KHAN M A (APA Optics Inc., Minnesota) ,  VAN HOVE J M (APA Optics Inc., Minnesota) ,  KUZIA J N (APA Optics Inc., Minnesota) ,  OLSON D T (APA Optics Inc., Minnesota)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 58  号： 21  ページ： 2408-2410  発行年： 1991年05月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基本面サファイア上に標記構造を形成した。0.3μmのGaNに...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低圧 ,  有機化学 ,  気相堆積 ,  成長 ,  電子移動度 ,  GaN ,  ヘテロ構造