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J-GLOBAL ID:200902085076054514   整理番号:91A0570942

低圧金属有機化学気相堆積で成長した高電子移動度GaN/AlxGa1-xNヘテロ構造

High electron mobility GaN/AlxGa1-xN heterostructures grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition.
著者 (4件):
資料名:
巻: 58  号: 21  ページ: 2408-2410  発行年: 1991年05月27日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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基本面サファイア上に標記構造を形成した。0.3μmのGaNに...
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分類 (1件):
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半導体-半導体接触【’81~’92】 

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