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J-GLOBAL ID：200902085909782721   整理番号：86A0408151

B⁺イオンを注入したCd_0.27Hg_0.73Te結晶の吸収端領域における光反射

Фотоотражение имплантированных B⁺ кристаллов Cd_0.27Hg_0.73Te в области краевого поглощения.

著者 (3件)： ЭЙДЖЮНАС Г С ,  КАВАЛЯУСКАС Ю Ф ,  ШИЛЕЙКА А Ю
資料名： Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 20  号： 5  ページ： 789-793  発行年： 1986年05月 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ロシア (RUS)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 10¹²~10<sup>15</sup...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン ,  注入 ,  結晶 ,  吸収端 ,  光反射